BSS314PEH6327XT

产品描述

MOSFET OptiMOS -P 3 Small Signal Transistor

内部编号

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数量:4850

最小起订量:1
美国加州
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规格书
安装风格	SMD/SMT
配置	Single
晶体管极性	P-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	- 1.5 A
系列	BSS314
RDS（ON）	140 mOhms
封装	Reel
功率耗散	500 mW
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	PG-SOT-23
栅极电荷Qg	- 2.9 nC
典型关闭延迟时间	12.4 ns
零件号别名	BSS314PEH6327XTSA1 SP000928944
上升时间	3.9 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	30 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	2.8 ns
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 2 V
宽度	1.3 mm
Qg - Gate Charge	- 2.9 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	+/- 20 V
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 P-Channel
正向跨导 - 闵	3 S
Id - Continuous Drain Current	- 1.5 A
长度	2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	107 mOhms
通道模式	Enhancement
身高	1.1 mm
典型导通延迟时间	5.1 ns
Pd - Power Dissipation	500 mW
技术	Si

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